DOPAGEM EM SEMICONDUTORES

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A dopagem é um processo de adição controlada de impurezas em materiais semicondutores (como silício ou germânio) para modificar suas propriedades elétricas. Existem dois tipos principais:

Dopagem tipo N:

Usa impurezas pentavalentes (5 elétrons na camada externa)
Elementos comuns: fósforo, arsênio, antimônio
Cria elétrons livres extras no material
Torna o material negativamente carregado

Dopagem tipo P:

Usa impurezas trivalentes (3 elétrons na camada externa)
Elementos comuns: boro, gálio, alumínio
Cria “lacunas” (ausência de elétrons)
Torna o material positivamente carregado

Este processo é fundamental na fabricação de componentes eletrônicos aeronáuticos como diodos, transistores e circuitos integrados, permitindo controlar precisamente a condutividade elétrica do material semicondutor para aplicações específicas em sistemas aviônicos.