Impureza Doadora
Impureza doadora é um elemento introduzido em um semicondutor para aumentar a quantidade de elétrons livres, que são os portadores de corrente elétrica no material. Esse processo de dopagem transforma o semicondutor em um material do tipo n, onde o “n” refere-se a “negativo”, devido à predominância de elétrons como portadores de carga.
Essas impurezas doadoras geralmente são átomos pentavalentes, como fósforo (P), arsênio (As) ou antimônio (Sb), que possuem cinco elétrons em sua camada de valência. Quando esses átomos substituem um átomo do semicondutor base, como o silício (Si) ou germânio (Ge), eles compartilham quatro elétrons para formar ligações covalentes com os átomos vizinhos. O quinto elétron, entretanto, fica livre, pois não é necessário para completar a ligação. Esse elétron extra aumenta significativamente a condutividade elétrica do material, uma vez que ele pode se mover livremente sob a influência de um campo elétrico.
No contexto de semicondutores, a dopagem com uma impureza doadora é essencial para criar dispositivos eletrônicos como transistores, diodos e circuitos integrados, onde o controle da condutividade é fundamental.
